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公延宁; 汪乐;
中国电子学会;
高Al组分; 选择性腐蚀;
机译:在非本征基极区域中通过MOMBE选择性生长制造的高f / sub max / AlGaAs / InGaAs和AlGaAs / GaAs HBT
机译:AlGaAs / GaAs / AlGaAs和AlGaAs / InGaAs / AlGaAs热电子晶体管的瞬态仿真
机译:高f / sub max / AlGaAs / InGaAs和AlGaAs / GaAs HBT,带p / sup + // p重生基极触点
机译:金属有机气相外延法制备和表征AlGaAs / GaAs超薄膜异质结构。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:利用选择性区域金属有机气相外延法制备和表征独立式GaAs / AlGaAs核壳纳米线和AlGaAs纳米管
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:选择性外延导致的表面发射型AlGaAs / GaAs半导体激光二极管的制造方法
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