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高X值CdznTePVT生长研究

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该文尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高X值（X=0.04~0.60）Cd1、ZnTe晶体在压力控制下的物理气相输运（PVT）生长研究。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|117-120|共4页
会议地点宜昌
作者
钱永彪;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
高x值CdZnTe;

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