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3C-SiC／Si（001）外延层残余应力的Raman光谱研究

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该文对用CVD方法外延生长的3C-SiC/S（001）材料的室温Raman光谱进行了分析、并对3C-SiC/Si材料中的残余应力进行了分析和计算。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|78-81|共4页
会议地点宜昌
作者
朱建军; 庞海;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
3C-SiC／Si（001）; 外延层; 残余应力; Raman光谱;

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