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GaN的NH3源MBE生长及其电学性质的研究

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在国产IV-MBE系统上用氨气作氮源外延出高质量的GaN材料。厚度约lum的外延膜的典型电学参数是：本底电子浓度n=1-5xl017cm-3，迁移率Un=70-120cm2/V.S相对较低的迁移率表明材料是高度补偿的。对一系列样品的测试表明本底电子浓度与膜所受的应力情况有关。掺si至6xl017cm-3和4x1018cm-3时，室温下样品迁移率可达180cm2/V.sSi施主的电离能为10meV。在该材料上外延的一个调制掺杂AlGaN/GaN结构显示出明显的二维电子气特征：室温下un=386cm2/V.S温度小于77K时un恒定在930cm2/V.S左右。 ”

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|140-141|共2页
会议地点宜昌
作者
张剑平; 孙殿照;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
GaN; NH3源; MBE生长; 电学性质;

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