MBE生长GaN纳米柱XRD和AFM分析

周平; 任霄钰; 苑进社

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首次使用纳米压印和分子束外延（MBE）相结合的方法在图形化衬底上成功制备出GaN纳米柱,并用XRD和AFM对其形貌和结构特性进行了分析表征。XRD分析表明所制备的GaN纳米柱在（0002）方向择优生长。计算得出GaN纳米柱的尺寸约为30 nm。原子力显微镜AFM分析发现:随着V/III的增大,表面粗糙度逐渐降低。基于XRD和AFM分析结果,讨论了V/III比对制备GaN纳米柱形貌和结构的影响。

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来源
《重庆理工大学学报（自然科学版）》 |2014年第4期|104-107|共4页
作者
周平; 任霄钰; 苑进社;
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作者单位

重庆师范大学物理与电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB383.1;
关键词
分子束外延; V/III比; GaN纳米柱;

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