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Structure Shift of GaN Among Nanowall Network Nanocolumn and Compact Film Grown on Si (111) by MBE

机译：通过MBE在Si（111）上生长的纳米壁网络纳米柱和致密膜之间的GaN结构变化

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Structure shift of GaN nanowall network, nanocolumn, and compact film were successfully obtained on Si (111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). As is expected, growth of the GaN nanocolumns was observed in N-rich condition on bare Si, and the growth shifted to compact film when the Ga flux was improved. Interestingly, if an aluminum (Al) pre-deposition for 40 s was carried out prior to the GaN growth, GaN grows in the form of the nanowall network. Results show that the pre-deposited Al exits in the form of droplets with typical diameter and height of ~ 80 and ~ 6.7 nm, respectively. A growth model for the nanowall network is proposed and the growth mechanism is discussed. GaN grows in the area without Al droplets while the growth above Al droplets is hindered, resulting in the formation of continuous GaN nanowall network that removes the obstacles of nano-device fabrication.
机译：通过等离子辅助分子束外延（MBE）成功地在Si（111）上获得了GaN纳米壁网络，纳米柱和致密膜的结构位移。不出所料，在裸露的Si上富含N的条件下观察到GaN纳米柱的生长，并且当Ga通量得到改善时，生长转移到致密膜上。有趣的是，如果在GaN生长之前将铝（Al）预先沉积40秒钟，则GaN会以纳米壁网络的形式生长。结果表明，预沉积的Al以液滴的形式存在，液滴的典型直径和高度分别为〜80和〜6.7 nm。提出了纳米壁网络的生长模型，并讨论了其生长机理。 GaN在没有Al小滴的区域中生长，同时阻碍了Al小滴上方的生长，从而形成了连续的GaN纳米壁网络，从而消除了纳米器件制造的障碍。

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