首页> 中文会议>全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 >8mm功率PHEMT研制

8mm功率PHEMT研制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm；Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器件在频率为33CHz时，饱和输出功率大于280mW，功率密度达到380 mW/mm，增益大于6 dB。

著录项

来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|179-183|共5页
会议地点宜昌
作者
郑雪帆; 陈效建;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
8mm功率; PHEMT;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Ka波段功率PHEMT的设计与研制 [J] . 郑雪帆 ,陈效建 ,高建峰 . 固体电子学研究与进展 . 1999,第3期
2. 8mm小功率标准装置的研制 [J] . 张廷柱 . 宇航计测技术 . 1991,第005期
3. 太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制 [J] . 王志明 ,黄辉 ,胡志富 . 红外与毫米波学报 . 2018,第002期
4. 偏置功率匹配器在微波小功率校准系统8mm频段应用 [J] . 朱军 ,于蒙 ,李健一 . 宇航计测技术 . 2013,第001期
5. 一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的Ka波段功率放大器设计 [J] . 李海华 ,王魁松 ,赵巾翔 . 微电子学与计算机 . 2021,第1期
6. 8mm差相移大功率环行器研制 [C] . 王梅生 ,张国荣 . 第十届全国微波磁学会议 . 2000
7. 基于0.25μm pHEMT工艺的低噪声放大器与功率放大器设计 [A] . 谢仕锋 . 2018

8mm功率PHEMT研制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅