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二种不同制备工艺的GaAsMESFETs的背栅效应研究

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该文设计了一套适用于不同工艺的背栅效应测试版图，分别用离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs，并对二种不同工艺在制备的MESFETs器件的背栅效应进行了研究。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|195-198|共4页
会议地点宜昌
作者
刘汝萍; 夏冠群;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
GaAsMESFETs; 背栅效应;

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