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张苗;
离子注入隔离;
机译:He〜+注入前后的慢正电子an没光谱研究Al表面附近的空位型缺陷
机译:慢正电子An没光谱研究氩注入硅中空位型缺陷的形成和演化
机译:单能正电子束研究镁注入GaN中的空位缺陷及其退火行为
机译:用正电子an没光谱表征离子注入和退火SiC中的空位型缺陷
机译:离子注入硅的热退火过程中的磷缺陷相互作用。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:用正电子慢束研究H +离子注入B2型Fe-Al合金的缺陷
机译:金属和合金空位型缺陷中正电子的湮灭动量密度
机译:慢正电子亮度增强的透射型调节器的制造方法,慢正电子亮度增强的透射型调节器,慢正电子束的亮度增强方法,高亮度慢正电子制造方法,
机译:通过将晶片加热至处理温度和时间以基本上稳定间隙缺陷迁移同时基本上不改变空位缺陷的方法来测量离子注入晶片中的缺陷的设备和方法。
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
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