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孟祥提;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:单晶硅中的氢空位缺陷
机译:用正电子an没法研究多晶硅和单晶硅中的生长空位型缺陷
机译:单能正电子束探测金属触点与GaN界面附近空位型缺陷的退火行为
机译:在富氢和贫氢环境中,在辐照和退火过程中,双极型氧化物中的辐射诱导缺陷行为
机译:氢对高纯铝的力学性能和断裂行为的影响(氢-空位相互作用)。
机译:在不同条件下退火的SALD-ZnO膜中氧气空位缺陷的抑制
机译:用CO和CO2分子退火对SiC热氧化形成的无定形SiO2中氧空位缺陷密度的影响
机译:级联损伤条件下缺陷演化的速率理论模型:空位型级联残余物的影响及其在缺陷生产表征中的微观结构分析
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
机译:单晶硅中的氧析出行为估计方法和单晶硅的生产参数决定方法,记忆单晶硅中的氧析出行为估计程序的存储介质
机译:预测单晶硅中的氧的析出行为的方法,确定硅单晶的生产参数的方法以及用于存储预测单晶硅中的氧的析出行为的程序的存储介质
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