中子嬗变掺杂单晶硅的退火行为研究

机译：纳米压痕行为与退火单晶硅相变的负载相关性

机译：氦和氢共注入单晶硅高温退火后水泡的透射电镜研究

机译：在真空退火期间在单晶硅取向（001）时，在薄膜组合物Ti（10nm）/ Ni（10nm）/ s（2nm）中的固态反应在真空中的退火期间

机译：掺硼和掺镓单晶硅在暗退火和光照退火期间的LETID和（扩展）BO相关降解和再生

机译：氟磷灰石中潜在裂变径迹的原子尺度研究：物理特性和退火行为

机译：溶剂中的层状二嵌段共聚物薄膜GISAXS研究的蒸汽退火：并联的不同行为和垂直薄片

机译：中子嬗变掺杂硅的快速热退火。

机译：以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式，以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为

机译：单晶硅中的氧析出行为估计方法和单晶硅的生产参数决定方法，记忆单晶硅中的氧析出行为估计程序的存储介质

机译：确定单晶硅晶片中的氧沉淀行为模型的方法，确定使用所述模型生产单晶硅晶片的过程的方法以及记录介质，该程序携带用于确定单晶硅晶片中的氧沉淀行为模型的程序