首页> 中文会议>第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 >宽禁带半导体电子器件的最新发展与展望

宽禁带半导体电子器件的最新发展与展望

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

宽禁带半导体普遍具有禁带宽度大、临界击穿场强高、介电常数较低、化学性质稳定等特点,适合制备高压、大功率、高温、抗辐照的电子器件.各种宽禁带半导体又有各自不同的特点和发展趋势.GaN和其他类似的氮化物材料(AlN,InN和多元氮化物合金)具有很强的自发极化和压电极化效应,彼此之间能够形成具有高电导二维电子气的异质结,因此非常适合制备高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的微波毫米波功率器件和高效电力电子器件，报告将重点对氮化物半导体、碳化硅、氧化镓和金刚石等宽禁带半导体电子器件的最新发展进行讨论，并对宽禁带半导体电子器件的未来发展进行展望。

著录项

来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|3|共1页
会议地点苏州
作者
郝跃;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构、器件;
关键词
宽禁带半导体电子器件; 材料差异; 技术开发;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事 [J] . . 电力电子技术 . 2017,第3期
2. 2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事 [J] . . 电力电子技术 . 2016,第12期
3. 宽禁带半导体电力电子器件研发新进展 [J] . 陈治明 . 电力电子技术 . 2009,第011期
4. 宽禁带半导体技术最新进展 [J] . 李耐和 . 电子产品世界 . 2007,第001期
5. 宽禁带半导体产业大尺寸第三代半导体氮化镓衬底产业化项目 [J] . . 中国粉体工业 . 2020,第001期
6. 宽禁带半导体电力电子器件前景展望 [C] . 高勇 . 2010年全国半导体器件技术研讨会 . 2010
7. 宽禁带半导体量子阱中声子模式和电子态及相关电子-声子相互作用 [A] . 昝宇海 . 2021

宽禁带半导体电子器件的最新发展与展望

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅