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模板辅助制备氧化锌纳米线阵列

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ZnO作为一种直接带隙的宽禁带半导体,因其优异的光电特性及丰富的纳米结构特征在紫外激光、光致发光、场致发射、传感器、太阳能电池等领域都有广泛的应用.基于ZnO纳米材料的研究无论是理论上还是实际应用上都具有十分重要的意义.目前,常用的ZnO纳米线的制备方法众多,且可以生长出准一维的纳米线阵列,但是很难实现纳米线密度及单根纳米线直径与位置的调控.为了提高ZnO纳米线阵列的有序性以及位置的可控性,本论文以模板辅助与化学气相沉积法相结合的方式,采用单分散PS微球为模板,以ZnO籽晶层代替传统催化层技术,制备排列有序且密度可控的ZnO一维纳米线阵列.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|301|共1页
会议地点苏州
作者
吴双; 叶志祥; 季小红;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.05;
关键词
氧化锌纳米线; 化学气相沉积法; 模板辅助; 有序性; 可控性;

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