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照明LED芯片制造技术研发进展

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过去的十年间,基于InGaN材料的LED照明技术得到了突飞猛进的发展,迄今为止,商品化白光LED的光效已经超过150lm/W,而实验室水平已经超过了200lm/W,远远高于传统白炽灯和荧光灯的水平,可以说LED照明已经是目前发光效率最高的光源之一.为了使绿色环保的LED照明技术在更广阔的市场领域得到应用,工业界还在不断开发新技术,使得LED照明的能源效率得到持续提升,同时制造成本稳步下降.从外延芯片技术的角度看,最近开发成功了两项重要技术:(1)通过采用物理气相沉积(PVD)技术在蓝宝石衬底上沉积一层AlN薄膜,取代MOCVD外延生长的GaN缓冲层,使得后续MOCVD生长获得更好晶体质量的GaN外延薄膜,同时节约了将近30％的MOCVD制程时间.基于该技术,LED芯片的光电性能得到显著提升,同时制造成本得到大幅压缩.(2)在倒装芯片技术开发方面,研究采用基于DBR反射镜的芯片结构,替代国际上传统的Ag反射镜,产品的发光效率显著提升,而且该技术还提高了产品的可靠性和生产良率.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|13|共1页
会议地点苏州
作者
刘榕;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺;
关键词
照明发光二极管; 芯片结构; 制造工艺; 可靠性; 生产率;

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