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ITO透明导电薄膜制备工艺优化

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利用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,主要研究了氧气流量、基底温度、溅射功率和氩气流量等工艺参数对薄膜光电性能的影响,计算了薄膜的品质因数,并根据品质因数优化了薄膜的制备工艺.实验结果表明:当氧气流量为4sccm、基底温度为285°C、溅射功率为1500W、氩气流量为160sccm时所制得的薄膜品质因数最高,平均透过率为81.8％,电阻率为3.12×10-6Ω·m,光电综合性能较好.

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来源
《2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛》|2017年|1-6|共6页
会议地点昆明
作者
Shen Fei; 沈飞; Long HuaBao; 龙华保; Zhou yaoming; 周尧明;
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作者单位

上海市红外与遥感学会;

云南省光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
氧化铟锡薄膜; 射频磁控溅射; 工艺优化; 品质因数;

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