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器件效应数值模拟中漂移扩散模型的误差分析

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为了确定数值模拟过程中的误差来源,并针对误差来源改进软件,减小计算误差,对半导体器件数值模拟中的采用的漂移扩散模型进行了研究.结合自主开发的半导体器件效应软件GSRES,分析了软件中漂移扩散模型的理论近似,对计算模型中由于温度分布、载流子复合/产生率、载流子迁移率等项采取近似而导致的误差进行了分析.根据误差分析和数值模拟算例,认为误差主要来自于器件内部温度场分布和迁移率模型的近似,给出了软件的适用范围.结合半导体器件的研究热点和发展趋势,对该模型中需要进行改进的近似项进行了分析.

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来源
《第九届全国高功率微波会议》|2013年|1-6|共6页
会议地点四川都江堰
作者
Li Yong; 李勇; Gong Ding; 贡顶; Xuan Chun; 宣春; Xia Hongfu; 夏洪富; Xie Haiyan; 谢海燕; Wang Jianguo; 王建国;
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作者单位

四川省电子学会;

电子科技大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测量和检验;
关键词
半导体器件; 数值模拟; 漂移扩散模型; 误差分析;

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