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基于密度梯度量子-漂移扩散模型的深亚微米nMOSFET 2维数值模拟

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介绍了适用于描述深亚微米半导体器件中能量量子化效应的2维密度梯度量子-漂移扩散模型,对深亚微米n型金属半导体场效应管(nMOSFET)进行了数值模拟,给出了器件的Ⅰ-Ⅴ曲线,沟道区域电子密度和电流密度的分布,以及微波脉冲作用下的电流响应,并与经典漂移扩散模型的结果进行了对比分析.比较模拟结果可知,量子效应使得沟道反型层载流子密度的峰值偏离了Si-SiO2界面,有效氧化层厚度增大,等效栅电容减小,栅电压的驱动能力减弱.

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来源
《2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会》|2012年|251-255|共5页
会议地点昆明
作者
WU Xiaolong; 吴晓龙; DU Zhengwei; 杜正伟;
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作者单位

中国电子学会;

中国通信学会;

云南省通信学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN386:TN301;
关键词
n型金属半导体场效应管; 深亚微米; 密度梯度; 量子效应; 数值模拟;

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