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单结微晶硅锗电池的光电模拟研究

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本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过对这三个因素的实验优化,在锗含量约为35％的情况下获得了效率为4.63％的单结电池.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|312-317|共6页
会议地点北京
作者
黄振华; 张建军; 倪牮; 曹宇; 王昊; 赵颖;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.1;
关键词
单结微晶硅锗电池; 光电性能; 数值模拟;

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