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GaAs／AlGaAs异质结果面及其发光特性

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该文研究了GaAs／AlGAs异质结果面的载流子限制效应及由此观察到的新的光致发光（PL）光谱。用蚀剂PL、Ps寿命测量及双晶X射线衍射技术，研究了新PL光谱的成因及与界面性能的关系。用半导体异质结果面能带模型成功地解释了实验现象。（本刊录）

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来源
《第四届全国发光学术会议》|1986年|23-32|共10页
会议地点上海
作者
袁荣;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O472.3;
关键词
砷化镓; 异质; 载流子(半导体); 铝化合物; X射线衍射分析; 发光光谱; 光致发光; 发光特性;

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