首页> 中文会议>中国仪器仪表学会第四届青年学术会议 >高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究

高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用离子注入的方法在高电阻率的硅衬底上选择性能形成低阻区,制备了多孔硅牺牲层,研究用"先做微结构后形成多孔硅"的多孔硅牺牲层工艺制作微悬空结构.

著录项

来源
《中国仪器仪表学会第四届青年学术会议》|2002年|769-770|共2页
会议地点北京
作者
董良; 岳瑞峰; 刘理天;
展开▼
作者单位

中国仪器仪表学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
离子注入; 硅衬底; 多孔硅牺牲层; 半导体薄膜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究 [J] . 董良 ,岳瑞峰 ,刘理天 . 仪器仪表学报 . 2002,第z2期
2. 用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构 [J] . 周国良 ,黄宜平 . 半导体学报 . 1991,第005期
3. 微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究 [J] . 娄利飞 ,李跃进 ,杨银堂 . 压电与声光 . 2008,第2期
4. 微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究 [J] . 周俊 ,王晓红 ,董良 . 微细加工技术 . 2002,第002期
5. 不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和光致发光谱研究 [J] . 贾霖 ,王昕 ,张树霖 . 半导体学报：英文版 . 1995,第4期
6. 用多孔硅牺牲层技术制作热激励硅谐振梁压力传感器 [C] . 高晓童 ,崔大付 ,陈德勇 . 第八届敏感元件与传感器学术会议 . 2003
7. 基于多孔硅牺牲层的MEMS电容式压力传感器研究 [A] . 奚野 . 2017

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号