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半导体平面InGaAs/GaAS量子阱微腔的光学性质研究

摘要

本文报道了半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔物理的研究工作.我们自行设计制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔,观察到了明显的Rabi分裂现象,由角分辨光致发光谱确定出温度为77时腔极化激元的色散关系,在10-150K的温度范围内观察了光致发光谱的变化.各项研究结果均达到国际先进水平.

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