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基于导纳谱法的硅化钨肖特基二极管势垒提取

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采用传统I-V拟舍的方法和基于导纳谱的肖特基势垒高度提取方法，对n型及p型衬底上的W/Si以及WSi2/Si二极管分别测量肖特基势垒高度。结果表明，对于较高势垒样品，I-V拟合方法和导纳谱法均可有效提取势垒高度，对于肖特基势垒高度小于0.5eV样品，I-V拟合方法失效，导纳谱法却仍有较好的稳定性，分析了导纳谱法测试精度与频率和交流偏压的关系。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|831-834|共4页
会议地点重庆
作者
罗佳; 王保民; 黄巍; 蒋玉龙; 茹国平; 屈新萍; 李炳宗;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN311.7;
关键词
肖特基二极管; 电学性能; 导纳谱法; 数值分析;

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