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基于NiZn铁氧体磁膜的RF平面微电感

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采用与集成电路工艺兼容的硅基工艺，制备了一种基于Ni0.4Cu0.2Zn0.4Fe2O4结构的RF平面微电感，结构形式为SiO2绝缘层/NiCuZn铁氧体磁膜层/SiO2绝缘层/Cu线圈。对Ni0.4Cu0.2Zn0.4FeO4磁膜的磁学性能进行了分析；并对此结构微电感的高频性能进行了测试，在1GHz磁膜结构微电感L＝1.942nH、Q=7.12,与同类型无磁膜微电感相比，L、Q值分别提高了6.5％和12.3％。随着L值和Q值的改善，磁膜微电感的结构尺寸可得到明显减小。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|743-747|共5页
会议地点重庆
作者
刘锋; 杨晨; 任天令; 刘理天; 刘道广;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类磁芯电感线圈;
关键词
射频器件; 磁性电感; 制造工艺; 金属材料;

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