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一种具有两次“Snapback”的新结构LSCR

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提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“Latch-Up”。分析结果表明，该器件可很好实现双向的ESD保护，在宽度为1000μm情况下，抗ESD能力达14000V。设计完成的新结构LSCR可很好地应用于功率器件和功率集成电路中。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|789-794|共6页
会议地点重庆
作者
钱梦亮; 李泽宏; 胡永贵; 刘勇; 周春华; 杨舰;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN43:TN403;
关键词
CMOS集成电路; 保护元件; 结构特征; 仿真分析;

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