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谢清连; 黄自谦; 方凤才; 潘吟松; 黄国华;
广西壮族自治区科协;
超导薄膜; 电学性能; 蓝宝石基片; 氧化铈缓冲层; 材料厚度;
机译:MgO和蓝宝石衬底上Tl-2212薄膜的缓冲层
机译:CeO2缓冲层厚度对取向铜带上形成的YBa2Cu3O7超导薄膜的影响
机译:CEO_2缓冲蓝宝石基材上TL-2212薄膜的生长
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:激光溅射参数对蓝宝石上氧化铈缓冲层取向的影响及YBa2Cu3Ox超导薄膜的性能
机译:氢气载流子对蓝宝石上GaN形貌演变及材料性能的影响
机译:237-改善在CeO2缓冲r割蓝宝石衬底上生长的YBa2Cu3O7-高温超导体膜的表面光滑度的方法
机译:用于氮化镓基器件的多晶硅碳化硅衬底具有薄的蓝宝石层,该蓝宝石层设置在衬底的上表面上方,其中该层具有特定的厚度,并且上表面用于容纳器件的层
机译:电解地增加介电基片上的导电图案的厚度的方法和装置,以及在其上存在导电图案的介电基片
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