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AMOLED阵列工艺中TiAlTi的干法刻蚀研究

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本文介绍了CI基气体电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀系统对金属TiAlTi薄膜的影响.通过调节ICP干法刻蚀设备的功率、气体流量、压力等工艺参数及光刻的曝光条件,解决了干法刻蚀过程中出现的微观侧壁副产物、侧壁异物与宏观基板表面副产物沉积等异常.最终可以在一个刻蚀程序中同时解决上述三种问题,为各项目工艺开发提供有益指导.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|11-15|共5页
会议地点西安
作者
CUI Zhiyuan; 崔志远; LV Xun; 吕迅; LIANG Chao; 梁超; TAO Guosheng; 陶国胜; XU Lei; 徐磊;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8:TN305.7;
关键词
有源矩阵有机发光二极管; 干法刻蚀; 工艺参数; 曝光条件;

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