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工艺步骤对溅射不同Ar∶O2的ZTO薄膜的影响与机理

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本文研究了顶栅自对准ZTO-TFT的工艺对溅射不同Ar∶O2的ZTO薄膜特性的影响,并阐述其机理.随着溅射时Ar∶O2的降低,ZTO薄膜的载流子浓度先增大后减小,但是迁移率逐渐增大,这与浅施主能级缺陷和深能级缺陷的含量有关.当Ar∶O2为50∶0时,N2O-plasma处理240s后,薄膜内的体载流子浓度增加,与渗透导电机理相矛盾.在不同溅射Ar∶O2的薄膜上生长SiO2栅介质,随着薄膜内氧含量的增加,载流子浓度先增大后不变.源漏开孔时存在过刻蚀,过刻蚀15s会使载流子浓度增加,但是迁移率却下降.但是在降低源漏电阻的Ar-plasma处理中,薄膜的迁移率提高,然而载流子浓度的变化与溅射时Ar∶O2有关.高温退火处理后,载流子浓度减小且电阻率和禁带宽度增大,然而迁移率的变化与溅射时Ar∶O2有关.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|75-79|共5页
会议地点西安
作者
ZUO Hongyang; 左鸿阳; WANG Gang; 王刚; CHANG Baozhu; 常宝柱; WANG Shenglei; 王圣蕾; ZHANG Shengdong; 张盛东;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5:TN305;
关键词
薄膜晶体管; 制备工艺; 载流子浓度; 禁带宽度;

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