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非晶氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

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目前,有源显示技术中普遍使用非晶硅(a-Si∶H)和低温多晶硅(LTPS)作为半导体沟道层制备薄膜晶体管(TFTs).然而面对超高清大屏显示、OLED显示、3D显示、透明显示以及柔性显示等新一代显示技术,传统硅基TFTs呈现出不足:a-Si∶H TFTs的迁移率较低(＜1cd/Vs),电流供给能力较弱,限制了器件的响应速度,无法满足55英寸(240HZ)以上大尺寸超高清AMLCD的需求,更加无法适用于电流驱动的AMOLED显示.本文将结合作者课题组在新型AOS沟道层材料、TFT器件及其工艺方面的研究工作和阶段性成果，介绍当前AOS-TFTs的研究进展。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(AOS-TFTs)凭借其迁移率高、可见光透明性好、均匀性优良以及工艺温度低等特点，有望应用于新型显示技术。尽管目前基于非晶In-Ga-Zn-0(a-IGZO)沟道层的TFTs的研究己取得了实质性进展并获得应用，但是AOS-TFTs仍有许多研究工作尚未开展或者深入，如新型AOS沟道层材料，少含甚至不含In的AOS沟道层材料与工艺，新型的介质层材料与工艺等。

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来源
《2013年广东省真空学会学术年会》|2013年|5|共1页
会议地点珠海
作者
张群;
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作者单位

广东省真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5;
关键词
半导体薄膜晶体管; 非晶氧化物; 沟道层; 制备工艺;

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