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磁控溅射过程中氧气氩气流量比对纳米硅薄膜微结构及其电子发射特性的影响

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本文采用磁控溅射法在n型单晶硅衬底上沉积了无定型氧化硅薄膜并通过高温退火处理分相形成纳米硅薄膜,制备了基于MOS型阴极结构的纳米硅薄膜平面型冷阴极并测试了电子发射特性.研究了不同氧气氩气流量比对纳米硅薄膜表面形貌及电子发射特性的影响,发现随着溅射过程中通入氧气流量比例的降低,薄膜表面颗粒尺寸逐渐变小,薄膜厚度呈现逐渐增厚的趋势.在18V栅极电压,氧气与氩气流量比为20sccm/20sccm的条件下测得最大的二极管电流密度和发射电流密度分别为4.69mA/cm2和44.6μA/cm2并计算得到最高为0.95％的电子发射效率.

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来源
《2016中国平板显示学术会议》|2016年|842-848|共7页
会议地点合肥
作者
Zhao Wei; 赵魏; Zhou Mengyang; 周蒙杨; Hu wenbo; 胡文波;
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作者单位

中国真空学会;

中国物理学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12:TN304.055;
关键词
纳米硅薄膜; 磁控溅射法; 退火处理; 电子发射特性; 表面形貌;

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