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周通; 马谦谦; 樊永良; 钟振扬;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
半导体技术; 锗硅纳米线结构; 分子束外延技术;
机译:错误切割的Si(001)衬底上多层GeSi纳米线的形成与表征
机译:在凹坑图案化的Si(001)衬底上生长的GeSi纳米岛的电子结构
机译:研究Si(001)和(115)衬底上GeSi层中的塑性弛豫
机译:Si(001)衬底上有序GeSi纳米岛的制备和表征
机译:Si(001),GaP(001)衬底上铟磷有机化合物气体的吸附和分解过程研究
机译:在有图案的Si(001)衬底上生长的有序GeSi纳米环
机译:通过错误切割si(001)衬底上的自组装来制造Gesi纳米线的有希望的例程
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:利用新型GeSi缓冲层在Si衬底上生长GaAs外延层
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