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基于冷热冲击实验的电力芯片TSV封装可靠性研究

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作为三维封装技术之一,硅通孔互连技术(TSV)能有效地利用空间减小封装尺寸,具备低功耗、小尺寸、高密度等优势.在电力芯片封装中广泛应用.TSV可靠性研究尚不成熟,TSV样品经过冷热冲击实验后,使用FIB对Cu/Si界面进行精细加工并观察,研究TSV在冷热冲击条件下的可靠性表现及失效机理.实验前后结果对比发现,Cu填充物体积增大,并溢出TSV通孔,EBSD结果前后对比显示,Cu晶粒尺寸在冷热冲击实验后出现明显增大;通过样品截面处理可发现Cu/Si界面存在开裂分离现象;可在TSV样品裂纹尖端处观察到不规则的Cu晶粒,该晶粒加大了裂纹扩展所需的剪切应力,对裂纹延伸起到了阻挡作用.

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来源
《2018电力行业信息化年会》|2018年|218-220|共3页
会议地点南宁
作者
乔彦彬; 邵瑾; 李建强;
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作者单位

中国电机工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类互连及多层布线技术;
关键词
电力芯片; 硅通孔互连; 封装可靠性; 冷热冲击; 裂纹扩展;

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