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张继华; 吴松; 刘颖; 陈宏伟; 杨传仁; 李言荣;
中国微米纳米学会;
铁电/氮化镓异质结构; 物理参数; 性能模拟; 铁电薄膜; 半导体性能;
机译:Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2栅极电介质在氮化镓高电子迁移率晶体管异质结构上的铁电极化转换行为
机译:新型2D结构材料:碳氮化镓(CC-GaN)和硼氮化镓(BN-GaN)异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译:基于氨氮化镓外性结构在蓝宝石和硅基板上生长的基于氮化镓异质结构的晶体管特性
机译:通过显微拉曼成像利用两个激光束同时照射,通过微观拉曼成像分析氮化镓 - 氮化镓/氮化镓异质结构中的局部热能输送
机译:MOCVD生长氮化镓和制造氮化铝镓/氮化镓双异质结构LED。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成,该异质结构由氮化镓制成的沟道层,覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成
机译:铁电和氮化镓半导体层组成的异质结结构,制备方法及其使用的场效应晶体管
机译:基于氮化镓和氮化铝镓半导体异质结构的高功率器件
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