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AlGaN电子阻挡层对LED结温和发光效率的影响

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对有无电子阻挡层两种LED芯片进行了模拟研究，引入焦耳热和非辐射复合热两种内热源，对芯片的内量子效率，发光功率，发热特性及结温进行了系统分析。结果表明，引入AlGaN电子阻挡层后，效率下垂效应得到明显改善，发光功率显著提高。原因是p型区和活性区间有效势垒的提高，削弱了漏电流效应，使量子阱中载流子浓度及辐射复合率增强。同时，由于活性区中非辐射复合热也相应增加，使相同电流下有电子阻挡层的LED芯片产热量增加，导致芯片结温在240mA电流时提高了20K。

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来源
《2012年中国工程热物理学会传热传质学学术年会》|2012年|1-7|共7页
会议地点东莞
作者
王天虎; 徐进良; 王晓东;
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作者单位

中国工程热物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
发光二极管; 量子阱; 温度场; 内量子效率; 电子阻挡层;

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