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不同功率下氦稀释对微晶硅锗薄膜特性的影响

摘要

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200oC的衬底温度下,以SiH4和GeH4 为反应气体,H2和He 为稀释气体,制备μc-Si1-xGex:H 薄膜.我们分析了不同功率条件下(60W,100W),不通流量He的掺入对μc-Si1-xGex:H 薄膜(Ge 含量~40%)特性的不同影响.结果表明,在适当的CHe/H2=He/H2 比例下,薄膜的晶化率和Ge 含量基本不变,光敏性提高,微结构因子减小,Ge 悬挂键减少,致密度提高,材料质量得到了明显的改善.

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