退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:一种在高衬底功率下使用稀释液在低衬底温度下制备低带隙非晶硅薄膜的方法
公开/公告号IN183442B
专利类型
公开/公告日2000-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 INDIAN ASSOCIATION FOR THE CULTIVATION OF SCIENCE;
申请/专利号IN500CA1994
发明设计人 RAY SWATI DR.;MIDDYA A. R.;HAZRA SUKTI;
申请日1994-06-27
分类号C01B33/00;C30B25/00;
国家 IN
入库时间 2022-08-22 01:55:57
机译: 薄膜晶体管阵列基板,低温多晶硅薄膜晶体管以及制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法
机译: 薄膜晶体管阵列基板的制造方法,低温多晶硅薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管