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在GaN上沉积C轴取向的LiNbO3薄膜的优化实验参数测定

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采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备C轴取向的LiNbO3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成等的影响.确定最优生长条件为沉积温度500摄氏度、氧分压20～ 30 Pa、靶基距3cm、激光强度120mJ.XRD分析表明,探索使LiNbO3薄膜与衬底间适配度小,并且LiNbO3薄膜(006)取向为主的方法.

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来源
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会》|2012年|283-285|共3页
会议地点成都
作者
陈国璋; 杨凯; 刘经斌; 易恒谦;
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作者单位

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜物理学;
关键词
铌酸锂薄膜; 性能优化; 参数测定; 生长取向; 脉冲激光沉积;

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