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一种在金刚石衬底上沉积高C轴取向氮化铝薄膜的方法

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本发明公开了一种在金刚石衬底上沉积高C轴取向氮化铝薄膜的方法，涉及压电薄膜制备技术领域。本发明采用射频反应磁控溅射技术，具体步骤包括真空预处理、衬底预处理、靶材预溅射、薄膜沉积，随着一次或多次沉积过程的进行，不固定可单独调节的工艺参数，而是在其原有基础上进行调整，从而控制靶材自偏压一直稳定在设定值。本发明在金刚石上沉积的氮化铝薄膜具有高C轴取向，且相较于传统方法具备较高的工艺稳定性和重复性，便于节约成本、保证薄膜性能的一致性，适用于工业大规模生产。

著录项

公开/公告号CN112760604A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07

原文格式PDF
申请/专利权人有研工程技术研究院有限公司;
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申请/专利号CN201911064779.2
发明设计人刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;魏峰;
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申请日2019-11-01
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/02(20060101);
代理机构11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人刘秀青
地址 101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
入库时间 2023-06-19 10:54:12

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法律状态公告日

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法律状态
2022-12-02

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