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基于InN和ZnO纳米结构材料的电致发光器件

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氮化物和氧化物半导体材料及相关器件是目前国际上化合物半导体领域最活跃的研究方向。近期氮化物半导体材料的一个热点研究方向就是高In组份的GaInN材料和相关器件研究;用MBE方法生长了InN纳米材料和薄膜材料,并制备了电致发光器件,器件电致发光峰值在1.57微米左右,进一步证实了InN材料是一个窄带隙材料。近期氧化物半导体材料的一个热点和难点研究方向就是ZnO材料的p型掺杂和其紫外激光器件研究；用MOCVD方法在n-GaN上制备了p-ZnO纳米薄膜材料,并实现了ZnO材料的电泵浦带边紫外激射,激射波长在380纳米左右。

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来源
《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》|2012年|334-335|共2页
会议地点开封
作者
杜国同; Guotong Du; Yuantao Zhang; 张源涛; Guoguang Wu; 吴国光; Wang Zhao; 赵旺; Xiaochuan Xia; 夏晓川; Hongwei Liang; 梁红伟; Yang Liu; 柳杨; Shiwei Song; 宋世巍; Xin Dong; 董鑫; Kexiong Zhang; 张克雄; 蔡旭浦; Xupu Cai; Baolin Zhang; 张宝林;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN383:TN304.2;
关键词
发光器件; 化合物半导体; 纳米材料; 制备工艺; 性能评价;

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