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不同工艺SRAM型FPGA单粒二子锁定试验研究

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以体硅工艺和外延工艺制造的SRAM型FPGA为样品，用高能粒子加速器产生的LET值为13.6-92.55MeV.cm2/mg离子，进行了单粒子锁定试验研究，试验结果是外延CMOS工艺制造的器件未发生单粒子锁定，体硅CMOS工艺的制造的器件发生了单粒子锁定，试验还发现，随入射离子LET值增加，器件单粒子锁定电流增加。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|387-390|共4页
会议地点三亚
作者
于庆奎; 张大宇; 刘迎晖; 李鹏伟; 孟猛; 罗磊; 唐民;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类数字集成电路、逻辑集成电路;
关键词
逻辑集成电路; 可编程逻辑器件; 单粒子锁定试验; 抗辐射加固技术; 制作工艺;

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