SRAM FPGA电离辐射效应试验研究

于庆奎; 张大宇; 张海明; 唐民; 文亮; 施蕾

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SRAM FPGA电离辐射效应试验研究

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针对SRAMFPGA空间应用日益增多,以100万门SRAMFPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验.单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66MeV·cm2/mg,出现SEU(单粒子翻转);LET为4.17 MeV·cm2/mg,出现SEFI(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66～64.8MeV·cm2/mg范围内,未出现SEL(单粒子锁定);试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常.电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化.辐照到87 krad(Si)时,样品出现功能失效.试验表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI.SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障.空间应用SRAM FPGA必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(TMR)配合定时重新配置(Scrubbing).关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA.

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来源
《航天器环境工程》 |2009年第3期|229-231|共3页
作者
于庆奎; 张大宇; 张海明; 唐民; 文亮; 施蕾;
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作者单位

中国空间技术研究院,北京,100029;

中国空间技术研究院,北京,100029;

中国空间技术研究院,北京,100029;

中国空间技术研究院,北京,100029;

北京控制工程研究所,北京,100190;

北京控制工程研究所,北京,100190;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类专用集成电路;固体缺陷;
关键词
专用集成电路; 单粒子效应; 总剂量效应; 辐照试验; 抗辐射加固;

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