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SOI MOSFET中子辐射效应模拟研究

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本文对绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator SOI)MOSFET器件的中子辐射效应的数值模拟进行了研究，利用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟软件Geant4跟踪模拟1MeV至14MeV中子入射SOIMOSFET器件的辐射作用，并对反应所产生的反冲原子种类、数目、平均能量及总平均能量沉积等重要信息进行了探讨，该工作为今后深入研究SOI MOSFET器件总剂量效应提供了基础。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|258-263|共6页
会议地点三亚
作者
肖筱; 张国和;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.2;
关键词
半导体硅器件; 中子辐射效应; 模拟试验; 辐射加固技术;

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