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经电子束辐照诱生硅中位错及其电致发光的研究

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本文运用电子束辐照的方法可控地在硅中引入位错，并制备了pn结发光二极管，研究了其低温与室温的电致发光性能。研究表明，经电子束辐照引入的位错分布弥散，呈碎片状。制备的pn结器件在低温具有显著的D1发光，开启电流仅为0.02A/cm2，而D2、D3与D4峰不可见。器件在室温有明显的带边发光与在~1.6 μm的D1电致发光。

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来源
《2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会》|2011年|16-18|共3页
会议地点厦门
作者
项略略; 金璐; 李东升; 杨德仁;
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作者单位

厦门大学;

浙江大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN312.8;
关键词
电子束辐照; 硅中位错; 电致发光;

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