Comparison of High Frequency Converter Designs Based on SiC JFET and SiMOSFET

机译：基于SiC JFET和SiMOSFET的高频转换器设计的比较

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In order to understand the potential advantages ofrnthe emerging SiC semiconductor devices over the mature Sirndevices for use in high-power, high-frequency converters, thisrnpaper conducted a theoretical analysis and comparison. Thernnormally-on SiC JFET was selected for the study for itsrnavailability and was compared with commercial Si MOSFET.rnThe substantially lower specific on resistance of SiC JFETrnresults in a smaller die size and low conduction loss, whichrnmeans low device capacitance and high loss capability for highrnswitching frequency operation. A 1200V SiC JFET is comparedrnwith a 600V Si MOSFET and a Si CoolMOS based on a fullbridgernparallel resonant converter. With the maximumrnallowable junction temperature, the converters are designed andrncompared with maximum power and frequency. The advantagesrnand disadvantages of the SiC JFET are discussed and the issuesrnassociated with high-frequency design are comprehensivelyrnaddressed. Overall, the SiC JFET has better loss performancernthan Si counterparts. The fast body diode of SiC JFET canrnsignificantly improve the switching frequency with ZVSrnoperation.

机译：为了了解新兴的SiC半导体器件相对于用于高功率，高频转换器的成熟Sirn器件的潜在优势，本文进行了理论分析和比较。选择常开型SiC JFET进行研究，并将其与商用Si MOSFET进行比较.rn SiC JFET的电阻率明显较低，这导致较小的芯片尺寸和低传导损耗，这意味着低器件电容和高开关频率的高损耗能力操作。比较了1200V SiC JFET，600V Si MOSFET和基于全桥并联谐振转换器的Si CoolMOS。在最高允许结温的情况下，转换器的设计和比较具有最大功率和频率。讨论了SiC JFET的优缺点，并全面解决了与高频设计有关的问题。总体而言，SiC JFET的损耗性能优于Si同类产品。 SiC JFET的快速体二极管通过ZVSrn操作可以显着提高开关频率。

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来源
《2008 annual power electronics conference at virginia tech : Proceedings》|2008年|8-14|共7页
会议地点 Blacksburg VA(US)
作者
Honggang Sheng; Fred. Wang; Alan Millner;
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作者单位

Center for Power Electronics SystemsrnThe Bradley Department of Electrical and Computer EngineeringrnVirginia Polytechnic Institute and State UniversityrnBlacksburg, VA 24061 USA;

Center for Power Electronics SystemsrnThe Bradley Department of Electrical and Computer EngineeringrnVirginia Polytechnic Institute and State UniversityrnBlacksburg, VA 24061 USA;

MKS Instruments Inc.rn90 Industrial WayrnWilmington, MA 01887 USA;

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正文语种 eng
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