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首页> 外文会议>2011 International conference on semiconductor technology for ultra large scale integrated circuits and thin film transistors (ULSIC vs. TFT) >In-plane Silicon Nanowires for Field Effect Transistor Application
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In-plane Silicon Nanowires for Field Effect Transistor Application

机译：场效应晶体管应用的面内硅纳米线

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Silicon nanowires (SiNW) are important building blocks for a new generation of transistor and sensor applications. Integration and up-scaling of these functionalities rely on a critical ability to position and assemble these nanoscale 1D channels over large areas. We have proposed and demonstrated an in-plane solid-liquid-solid (IPSLS) growth mode of SiNWs, which enables unprecedented morphology control of the in-plane SiNWs and precise deployment of large-scale SiNW arrays. Notably, all the fabrication process can be accomplished in a CMOS compatible all-in-situ plasma deposition environment. We will present here the recent progress in this field and address particularly their related aspects for field effect transistor application.
机译：硅纳米线（SiNW）是新一代晶体管和传感器应用的重要组成部分。这些功能的集成和扩展取决于在大面积上定位和组装这些纳米级一维通道的关键能力。我们已经提出并演示了SiNW的面内固液固（IPSLS）生长模式，该模式可以实现面内SiNW的空前形态控制以及大规模SiNW阵列的精确部署。值得注意的是，所有制造工艺都可以在CMOS兼容的原位等离子体沉积环境中完成。我们将在此介绍该领域的最新进展，并特别讨论其在场效应晶体管应用中的相关方面。

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