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【24h】

Diffusion gettering of metal impurities in crystalline silicon

机译:晶体硅中金属杂质的扩散吸杂

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摘要

We present here our latest results of boron and phosphorus diffusion gettering of iron in crystalline silicon. The gettering efficiency is evaluated measuring both the minority carrier lifetime as well as the solar cell parameters. The results indicate that the optimal dopant and time-temperature profiles strongly depend on the thermal history as well as the initial iron level present in silicon.
机译:我们在这里介绍了结晶硅中铁的硼和磷扩散吸杂的最新结果。通过测量少数载流子寿命以及太阳能电池参数来评估吸杂效率。结果表明,最佳的掺杂物和时间-温度曲线在很大程度上取决于热历史以及硅中存在的初始铁含量。

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