公开/公告号CN102703987B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司;
申请/专利号CN201210187707.9
申请日2012-06-08
分类号C30B31/06(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构51220 成都行之专利代理事务所(普通合伙);
代理人谭新民;谢敏
地址 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号
入库时间 2022-08-23 09:24:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 31/06 授权公告日:20150311 终止日期:20170608 申请日:20120608
专利权的终止
2015-03-11
授权
授权
2015-03-11
授权
授权
2012-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 31/06 申请日:20120608
实质审查的生效
2012-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 31/06 申请日:20120608
实质审查的生效
2012-10-03
公开
公开
2012-10-03
公开
公开
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机译: 一种利用FAC工艺制造低温多晶硅硅TFT-LCD阵列基板的方法,特别是在结晶化和最小化结晶化缺陷后降低金属杂质的方法
机译: 从多晶硅化物栅极侧壁化学去除金属杂质的方法
机译: 从多晶硅化物栅极侧壁化学去除金属杂质的方法