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首页> 外文会议>2017 15th International Conference on Quality in Research : International Symposium on Electrical and Computer Engineering >Real-time monitoring of charge-pumping process for SiO2/Si interface defect analysis
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Real-time monitoring of charge-pumping process for SiO2/Si interface defect analysis

机译：实时监测电荷泵过程中的SiO 2 / Si界面缺陷

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Time-domain charge pumping, which monitors transient currents during the charge pumping process, is a novel technique for analyzing interface defects of semiconductors. In this paper, we make a brief introduction about our recent works on the development of the time domain charge pumping, aiming at the detailed analysis of metal-oxide-semiconductor interface defects. We in particular show that the time-domain charge pumping enables us to obtain capture cross sections of electrons and holes independently, and to resolve electron-emission spectra into two components with different time constants. It is also shown that it allows us to investigate complicated current flow during the charge pumping process in silicon-on-insulator devices.
机译：时域电荷泵监视电荷泵过程中的瞬态电流，是一种用于分析半导体界面缺陷的新颖技术。在本文中，我们简要介绍了我们在时域电荷泵的发展方面所做的最新工作，旨在详细分析金属氧化物半导体界面缺陷。我们特别表明，时域电荷泵浦使我们能够独立获得电子和空穴的俘获截面，并将电子发射光谱分解为具有不同时间常数的两个分量。还表明，它允许我们研究绝缘体上硅器件中的电荷泵过程中的复杂电流。

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