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MOS结构Si/SiO_2界面态的电荷泵测量

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摘要

建立了一套进行MOS结构Si／SiO2界面态电荷泵测量的测试系统，其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次／秒．分析研究了泵电流与Si／SiO2界面态测量之间所应关注的技术细节．借助于电荷泵法，研究了PMOSFETSi／SiO2界面态在辐照和退火过程中生长和退火的行为规律．

著录项

来源
《半导体学报》 |1997年第5期|344-349|共6页
作者
张国强; 王国彬; 余学锋; 任迪远; 严荣良;
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作者单位

中国科学院新疆物理研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN386.107;
关键词
MOS结构; 硅; 氧化硅; 界面态; 电荷泵; 测量;

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