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首页> 外文会议>2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices >Reconfigurable back enhanced (BE) SOI MOSFET used to build a logic inverter
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Reconfigurable back enhanced (BE) SOI MOSFET used to build a logic inverter

机译：可重新配置的后增强（BE）SOI MOSFET，用于构建逻辑反相器

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This paper reports the characteristics and the operation of the new BE SOI MOSFET used to build a logic inverter for the first time. The main characteristics of this device is its simplicity of fabrication and the reconfigurable behavior, i.e, it can act as a n-type transistor or as a p-type transistor depending on the back gate bias. Furthermore, an inverter circuit was built and the static response was measured. The BE SOI inverter showed a characteristic CMOS inverter curve. Finally, the threshold voltage variation with the silicon and gate oxide thickness is explored in order to find the best inverter circuit design.
机译：本文首次报道了用于构建逻辑反相器的新型BE SOI MOSFET的特性和操作。该器件的主要特征是其制造简单和可重构的特性，即，根据背栅偏置，它可以用作n型晶体管或p型晶体管。此外，构建了逆变器电路并测量了静态响应。 BE SOI反相器显示出典型的CMOS反相器曲线。最后，探索了阈值电压随硅和栅氧化层厚度的变化，以便找到最佳的逆变器电路设计。

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