National Institute for RD in Microtechnologies (IMT-Bucharest) PO Box 38-160, Bucharest 023573, Romania;
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机译:反射电子束光刻:使用反射电子束光刻概念的无掩模电子束直接写入光刻方法
机译:电子束光刻中基于简化电子能流模型的3D邻近效应校正
机译:使用紫外线可固化正性电子束光刻胶,通过紫外-纳米压印光刻和电子束光刻进行微通道制造
机译:用于μ和n光学的3D电子束光刻
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:电子束与聚焦离子束光刻技术制备的等离激元天线的比较研究
机译:MR-POSEBR:高分辨率电子束光刻和3D表面图案的新型正音抗蚀剂
机译:利用高分辨率电子束光刻和分子束外延制作亚50nm手指间距和宽度高速金属半导体金属光电探测器